Giảm giá trực tiếp trên đơn hàng 
| Thông số | Giá trị |
|---|---|
| Mã sản phẩm | 2MBI300U4D-120 |
| Điện áp Collector-Emitter tối đa (Vces) | 1200 Volt |
| Dòng Collector liên tục (Ic) tại Tc=80°C, Tjmax=175°C | 300 Ampere |
| Dòng Collector đỉnh, xung 1ms (Icp) | 600 Ampere |
| Điện áp Gate-Emitter (Vges) | ±20 Volt |
| Công suất tiêu tán tối đa cho mỗi IGBT (Pc) tại Tc=25°C | 1040 Watt |
| Nhiệt độ hoạt động của lớp சந்தி (Tjop) | -40 đến +150 °C (hoạt động), +175 °C (tối đa) |
| Điện áp cách ly (Visol) AC, 1 phút | 2500 Volt ( среднеквадратичное значение) |
| Cấu hình mô đun | 2 phần tử IGBT (cấu hình nửa cầu) |
| Điện trở nhiệt, lớp சந்தி tới vỏ (Rth(j-c)) cho IGBT | 0.144 °C/Watt (tối đa) |
| Điện trở nhiệt, lớp சந்தி tới vỏ (Rth(j-c)) cho Diode | 0.250 °C/Watt (tối đa) |
Vui lòng để lại số điện thoại, chúng tôi sẽ gọi lại sau 5 phút
